Телефоны:
8 (499) 553-48-68
8 (49621) 2-78-21
E-mail:
Вы здесь: Главная / Новости / «Росэлектроника» приступила к выпуску российских полупроводниковых диодов

ПОПУЛЯРНОЕ

Panasonic СмартТек Toughbook Toughpad Intel планшет ОПК Панасоник Baikal-T1 процессор FZ-X1 чехол Lenovo импортозамещение ЗЭЧ жесткий диск NVIDIA Imation информационная безопасность Windows 10 Toughbook CF-53 CF-54 защита сервер Samsung FZ-E1 Microsoft компьютер Skylake защищенный CF-20 Micron 3D XPoint Процессор "Энергия-100" SSD Восход Горэлтех сканер Российский ЭЛАР Байкал Электроникас Т-платформы взрывозащищённый ОС "Заря" Lenoov ОАО РКК "Энергия" Ростех КТГ-СТ ЗАО "Энергия-Телеком" FZ-N1 КВ5-25ФФ Нейро-М Внешний корпус российский Свидетельство Корпоративная безопасность управление CF-XZ6 Импортозамещение CF-33 Сервер Эльбрус Росэлектроника производство BEST ЗМВК Ж1 microSD ЗМВК ЦФ31 Kingston Industrial Карта памяти Эльбрус-8С FZ-F1 испытания ППЭФВ ЦФ31 FZ-A2 FZ-G1 FZ-B2 mk2 IP65 ГОСТ FZ-Q1 Моноблок Зимний эксплуатационный чехол Ромос моноблоки ноутбуки Dell Inspiron защищенная техника процессоры Пикор-Био Panasonic Toughpad Wire-Free сверхзащищенный ноутбук аккумуляторная батарея GammaTech Защищенные хранилища данных Toughpad FZ-G1 микрочип Toughpad FZ-M1 Raytheon микросхемы мини-ПК Fujitsu ИТ-индустрия Беспроводные сети Нефтегаз-2014 защищенный смартфон дата-центр Rittal Asus IFA 2014 Элвис-Плюс Titan X Т-Платформы EVGA poseidon Защищенный внешний аккумулятор Таволга Zotac Kraftway HDD ФСБ Антивирус Dr.Web стандарт интерфейс планшеты Ниеншанц-Автоматика Защищенные решения защищенные решения Toughpad FZ-B2 Интерполитех конференция Сетевые хранилища USB 3.1 CES 2015 рабочая станция ThinkStation Asustor VMware

Новости

name

«Росэлектроника» приступила к выпуску российских полупроводниковых диодов

Дата публикации: 17.01.2017  Наука   Росэлектроника, импортозамещение, производство 

Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех, наладили выпуск полупроводниковых диодов российского производства для замены импортных изделий, использующихся в российских микросхемах.

В томском предприятии - АО «НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) холдинга «Росэлектроника» разработаны кремниевые и арсенид-галлиевые варикапы. Технология, разработанная российскими специалистами, обеспечивает ряд преимуществ перед зарубежными аналогами. В частности, российские арсенид-галлиевые приборы имеют лучшие характеристики по добротности: ее значение достигает 1000 и более на частоте 50 МГц.

Полупроводниковый диод российского производства

НИИПП разработал варикапы сразу в двух вариантах корпуса – для навесного и поверхностного монтажа. В ходе работ инженеры изменили подход к проектированию и изготовлению эпитаксиальных структур, что позволяет сократить процесс производства варикапов, повысить воспроизводимость параметров и процент выхода годных изделий.

Новая конструкция арсенид-галлиевых полупроводниковых диодов защищена российским патентом. 

За эту разработку специалисты НИИПП получили Национальную премию в области импортозамещения «Приоритет-2016» в номинации «Электроника».

Полупроводниковый диод – диод, который изменяет свою емкость пропорционально величине приложенного обратного напряжения от единиц до сотен пикофарад. Полупроводниковые диоды удобны тем, что, подавая на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически безынерционно менять их емкость. Полупроводниковые диоды применяют для перестройки частоты колебательных контуров и фильтров, усиления и генерации СВЧ-сигналов или автоподстройки частоты.



« Назад к новостям

Все права защищены © 2008-2017 СмартТек