Дата публикации: 31.08.2015 Наука 3D XPoint, SSD, Intel, Micron
Intel и Micron Technology совместно разработали новый тип энергонезависимой памяти - 3D XPoint. В будущем, разработка должна значительно повысить производительность твердотельных накопителей. Скорость первых SSD произведенных с использованием технологии 3D XPoint, по оценкам производительности, опубликованным компанией Intel, будет ограничена современными интерфейсами.
Первые SSD накопители Intel Optane — на основе технологии 3D XPoint — будут использованы в центрах обработки данных (ЦОД) для хранения часто запрашиваемых данных. Новые твердотельные накопители обещают сверхвысокие скорости записи и чтения, низкие задержки при доступе к данным, а также возможность обработки беспрецедентного количества операций ввода/вывода в секунду. Первые накопители Intel Optane будут использовать интерфейсы PCI Express 3.0 и DDR4, а выпускаться в форм-факторах PCIe-карт или модулей DIMM с 288 контактами.
Карты PCI Express 3.0 x4 совместимы со всеми современными серверами и могут предложить пропускную способность до 4 Гбайт/с. Гибридные модули NVDIMM (энергонезависимые модули памяти DIMM) могут потенциально обеспечить ещё более высокую пропускную способность и ещё более низкие задержки, однако они не будут совместимы с машинами текущего поколения.
Крупнейший в мире производитель центральных процессоров также подтвердил на IDF, что прежде чем NVDIMM с памятью 3D XPoint выйдут на рынок, компании понадобится поработать с JEDEC и другими игроками рынка, чтобы внести возможные изменения в соответствующий стандарт (разработка которого до сих пор не завершена) с целью обеспечить совместимость между накопителями и платформами. Учитывая, что DDR4 поддерживает гигантские скорости передачи данных, существует вероятность, что коммерческие NVDIMM с памятью 3D XPoint будут поддерживать куда более высокую пропускную способность, чем сегодня ожидает Intel.
Как Intel, так и Micron, считают, что уникальные преимущества 3D XPoint — высочайшие скорости скорости чтения/записи, повышенная надежность по сравнению с NAND флеш-памятью, а также существенно большая ёмкость по сравнению с оперативной памятью — обеспечат новой технологии особое место в иерархии хранения данных в ЦОД. Со временем энергонезависимая память класса накопителей (storage class memory) займёт нишу между DRAM и SSD на базе NAND флеш-памяти.
Неготовность стандарта NVDIMM, ограничения PCI Express 3.0 x4 и ряд других вещей заставляют Intel и Micron довольно консервативно оценивать возможности и производительность накопителей на основе 3D XPoint. К сожалению, такой подход не даёт возможности в полной мере оценить потенциал нового стандарта, а также сделать предположения касательно скорости его распространения.