«Росэлектроника» приступила к выпуску российских полупроводниковых диодов

Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех, наладили выпуск полупроводниковых диодов российского производства для замены импортных изделий, использующихся в российских микросхемах.

В томском предприятии - АО «НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) холдинга «Росэлектроника» разработаны кремниевые и арсенид-галлиевые варикапы. Технология, разработанная российскими специалистами, обеспечивает ряд преимуществ перед зарубежными аналогами. В частности, российские арсенид-галлиевые приборы имеют лучшие характеристики по добротности: ее значение достигает 1000 и более на частоте 50 МГц.

НИИПП разработал варикапы сразу в двух вариантах корпуса – для навесного и поверхностного монтажа. В ходе работ инженеры изменили подход к проектированию и изготовлению эпитаксиальных структур, что позволяет сократить процесс производства варикапов, повысить воспроизводимость параметров и процент выхода годных изделий.

Новая конструкция арсенид-галлиевых полупроводниковых диодов защищена российским патентом. 

За эту разработку специалисты НИИПП получили Национальную премию в области импортозамещения «Приоритет-2016» в номинации «Электроника».

Полупроводниковый диод – диод, который изменяет свою емкость пропорционально величине приложенного обратного напряжения от единиц до сотен пикофарад. Полупроводниковые диоды удобны тем, что, подавая на них постоянное напряжение смещения, можно дистанционно и практически безынерционно менять их емкость. Полупроводниковые диоды применяют для перестройки частоты колебательных контуров и фильтров, усиления и генерации СВЧ-сигналов или автоподстройки частоты.